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公开/公告号CN2240558Y
专利类型
公开/公告日1996-11-20
原文格式PDF
申请/专利权人 方汉文;
申请/专利号CN95238174.5
发明设计人 方汉文;
申请日1995-12-06
分类号E04F15/16;
代理机构湖南省专利服务中心;
代理人乔清杰
地址 410005 湖南省长沙市浏阳河路239号长沙湘星企业集团
入库时间 2022-08-21 22:37:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2002-01-23
专利权的终止未缴年费专利权终止
1996-11-20
授权
机译: 用于高纵横比选择性横向蚀刻的等离子体装置使用循环钝化和蚀刻
机译: 使用循环钝化和蚀刻的高纵横比选择性横向蚀刻
机译: 固体自然资源矿山纵横向钻进方法
机译:在SF6 / O2等离子体中高纵横比的深硅刻蚀。二。高纵横比的横向蚀刻机理
机译:SF_6 / O_2等离子体中高纵横比的深硅刻蚀。二。高纵横比的横向蚀刻机理
机译:横向振动模式对压电矩形薄板的横向振动模式的有效机电耦合系数的纵横比依赖性
机译:横向纵横比在均匀加热水平墙壁内部横向腔内自然对流的影响
机译:包含高纵横比的聚合物纳米复合材料微粒:共挤多层阻隔膜的创新
机译:通过高纵横比微流控通道的多层并行化可扩展生产单分散功能微球
机译:细胞纸的纵横多层
机译:横向流动超过纵横比3-5,锥度比0-5,具有4%双凸面截面的非横向流动的实验研究