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抗磁场干扰的横向电压型压力传感器

摘要

近年来出现的横向电压型压力传感器的核心部分是制作在硅膜上的一个四端半导体电阻器。由于其几何形状与磁敏霍尔器件类似,这种压力传感器也有磁敏性。本实用新型把几何尺寸和工艺参数完全相同的两个四端电阻器根据硅膜的形状,选取一定的位置和取向,并以特定的方式组合输出,可以获得消除磁场的干扰而又加强压力信号的压力传感器。

著录项

  • 公开/公告号CN87211315U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日1988-07-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 复旦大学;

    申请/专利号CN87211315

  • 发明设计人 鲍敏杭;齐薇佳;于连忠;

    申请日1987-10-22

  • 分类号G01L1/00;

  • 代理机构复旦大学专利事务所;

  • 代理人陆飞;滕怀流

  • 地址 上海市邯郸路220号

  • 入库时间 2022-08-21 22:32:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 1988-07-27

    公开

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