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薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、有源矩阵驱动显示装置

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法,属于半导体器件制造技术领域,其可解决现有技术制备的薄膜晶体管阵列基板的方法中由于制造工艺的条件的影响导致石墨烯的电学性能降低的问题。本发明的薄膜晶体管阵列基板的制备方法,包括在衬底上形成薄膜晶体管的步骤,所述薄膜晶体管包括有源层和保护层;所述有源层为石墨烯层;所述保护层形成于所述有源层的远离衬底一端的表面。本发明提供的薄膜晶体管阵列基板由于保护层的存在使对石墨烯层的光刻处理不是直接对石墨烯层处理,极大的避免了掩模光刻处理的影响;同时该保护层能降低后续工艺处理对石墨烯的影响。

著录项

  • 公开/公告号CN102881654B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-03-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 京东方科技集团股份有限公司;

    申请/专利号CN201210375092.2

  • 发明设计人 孙拓;

    申请日2012-09-29

  • 分类号H01L21/77(20060101);H01L29/06(20060101);H01L27/12(20060101);

  • 代理机构11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司;

  • 代理人罗建民;陈源

  • 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

  • 入库时间 2022-08-23 09:37:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-23

    授权

    授权

  • 2013-02-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/77 申请日:20120929

    实质审查的生效

  • 2013-01-16

    公开

    公开

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