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一种含有界面δ掺杂的异质结太阳电池

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摘要

本发明公开了一种含有界面δ掺杂的异质结太阳电池，该太阳电池发射区采用n型GaInP，其厚度为40~100nm；窗口层采用n型的AlInP或AlGaInP，其厚度为10~50nm；并采用δ掺杂，掺杂面密度为10

1. 一种含有界面δ掺杂的异质结太阳电池 [P] . 中国专利： CN103594540A . 2014-02-19
2. 一种基于水醇溶性聚合物混合阴极界面层的本体异质结太阳电池及其制备方法 [P] . 中国专利： CN107978678B . 2019-10-18
3. MANUFACTURING METHOD OF HETERO-EPITAXIAL SINGLE CRYSTAL, MANUFACTURING METHOD OF HETEROJUNCTION SOLAR CELL, HETERO-EPITAXIAL SINGLE CRYSTAL, AND HETEROJUNCTION SOLAR CELL [P] . 日本专利： JP2014067869A . 2014-04-17

机译：异质外延单晶的制造方法，异质结太阳电池的制造方法，异质外延单晶的晶体，异质结太阳电池
4. HETERO-JUNCTION DIODE, A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND AN ELECTRONIC DEVICE COMPRISING HETERO-JUNCTION DIODE [P] . 韩国专利： KR20100130419A . 2010-12-13

机译：异质结二极管，一种制造异质结二极管的方法和一种包括异质结二极管的电子设备
5. A SOLUTION FOR FORMING A DOPED COPPER OXIDE LAYER, A METHOD FOR PRODUCING A DOPED COPPER OXIDE LAYER, A COPPER SUBSTRATE WITH A DOPED COPPER OXIDE LAYER, USE THEREOF AND A HETEROJUNCTION PHOTOVOLTAIC CELL [P] . WO2023/046977A1;WO2023000046977A1;WO2023046977A1;WO2023046977 . 2023-03-30

机译：一种掺杂氧化铜层的形成溶液、一种掺杂氧化铜层的制备方法、一种具有掺杂氧化铜层的铜基板及其用途以及一种异质结光伏电池