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公开/公告号CN103849859B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-01-27
原文格式PDF
申请/专利权人 南京航空航天大学;
申请/专利号CN201410076360.X
发明设计人 何建平;郭虎;夏伟;朱泽涛;范晓丽;潘旭晨;薛海荣;
申请日2014-03-04
分类号
代理机构江苏圣典律师事务所;
代理人贺翔
地址 210016 江苏省南京市秦淮区御道街29号
入库时间 2022-08-23 09:35:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-01-27
授权
2014-07-09
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C18/20 申请日:20140304
实质审查的生效
2014-06-11
公开
机译: 导电层埋入型基体,导电层埋入型基体的形成方法以及利用导电层埋入型基体制造半导体装置的方法
机译: 金属化非导电基体的方法,以及由此制备的金属化非导电基体
机译: 金属化非导电基体的方法和金属化的非导电基体
机译:使用新型透明导电PAEK共聚物将具有先进的无银多线金属化的双面硅异质结太阳能电池连接到ITO层
机译:双面IFO /(n〜+ pp〜+)Cz-Si / ITO硅太阳能电池,具有通过透明导电PAES共聚物附着在TCO层上的先进的无银多线金属化工艺
机译:机械增强的无ITO柔性有机太阳能电池的导电聚合物与PET基材之间的表面互穿
机译:偶氮缓冲层在商业PET / ITO基体上的应用以提高柔性A-SI:H太阳能电池的机械稳定性
机译:低成本柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板材料上的导电喷墨印刷超宽带(UWB)平面单极天线。
机译:从ITO废料中重复使用的ITO纳米颗粒及其在用于透明导电电极层的溅射靶中的应用
机译:ITO纳米粒子从ITO废料和它们的应用重新使用,以溅射透明导电电极层的溅射靶
机译:氧化锆 - 氧化铝-ITO纳米层用于透明,导电,转变 - 增韧涂层