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一种以合成钡长石为烧结助剂的SiC陶瓷低温烧结制备方法

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摘要

本发明公开了一种以合成钡长石为烧结助剂的SiC陶瓷低温烧结制备方法，解决现有制备SiC结构陶瓷烧结温度高、工艺复杂、能耗大、成本高等问题。本发明制备的一种以合成钡长石为烧结助剂的SiC陶瓷的密度达到3.14g/cm

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-08-21

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B35/565 授权公告日:20160120 终止日期:20190904 申请日:20140904

专利权的终止
2016-01-20

授权

授权
2015-02-18

实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/565 申请日:20140904

实质审查的生效
2015-01-21

公开

公开

1. 一种以合成钡长石为烧结助剂的SiC陶瓷低温烧结制备方法 [P] . 中国专利： CN104291825B . 2016.01.20
2. 一种无烧结助剂低温烧结压电陶瓷材料及其制备方法 [P] . 中国专利： CN110330332A . 2019-10-15
3. SINTERING AID COMPOSITION FOR CERAMIC, SINTERING AID FOR CERAMIC, LOW-TEMPERATURE FIRING CERAMIC COMPOSITION, LOW-TEMPERATURE FIRED CERAMIC AND CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT [P] . 日本专利： JP2007084353A . 2007-04-05

机译：陶瓷烧结助剂，陶瓷烧结助剂，低温烧结陶瓷组分，低温烧结陶瓷和陶瓷电子组分
4. PROCESS OF PREPARING LOW-TEMPERATURE SINTERED MICROWAVE DIELECTRIC CERAMIC AND LOW-TEMPERATURE SINTERED MICROWAVE DIELECTRIC CERAMIC OBTAINED BY THE SAME [P] . 日本专利： JP2007051050A . 2007-03-01

机译：低温烧结微波介电陶瓷的制备方法及所获得的低温烧结微波介电陶瓷的制备方法
5. METHOD FOR PREPARATING THE LOW TEMPERATURE COFIRED CERAMIC LAYER HAVIG GLASS LAYER, AND ELECTRICAL MODULE USING LOW TEMPERATURE COFIRED CERAMIC [P] . 韩国专利： KR100710459B1 . 2007-04-16

机译：具有玻璃层的低温烧结陶瓷层的制备方法，以及使用低温烧结陶瓷的电模块