消除掺杂物损害的源极/漏极固态源掺杂

摘要

一种制造快擦写内存装置的方法，其中经由下列步骤可产生最小的栅极边缘掀起现象(gate edge lifting)：将栅极叠层(gate stack)和基片暴露出的表面予以最低的氧化；从该基片各向异性地蚀刻氧化物层；在基片上要形成源极区的部份上形成经掺杂的固态源极材料及使该掺杂物(dopants)，从该固态源极材料扩散到所述基片之内。