背栅MOS晶体管及其制作方法和静态随机存储器

摘要

本发明提供一种背栅MOS晶体管结构，包括栅电极、侧墙介质层、栅介质层、源重掺杂区和源轻掺杂区构成的源区、漏重掺杂区和漏轻掺杂区构成的漏区、沟道区，其源或漏区和沟道区掺杂与栅电极相互自对准；源或漏区的重掺杂区与沟道区之间存在与栅电极自对准且对称的源或漏区的轻掺杂区；源或漏区厚而沟道区薄。其制法是在背栅电极和背栅介质层形成后淀积一较厚的硅膜，再进行无掩膜较低能量的离子注入掺杂，接着化学机械抛光进行表面平坦化。该背栅MOS晶体管，其自对准结构使器件特性的离散最小化，其厚源或漏区以及对应的轻掺杂区导致寄生电阻和关态电流减小，其薄沟道区能提供大的导通电流和改善短沟道效应，可用作静态随机存储器中的pMOS负载管。