在快擦写EEPROM中编程及过擦除更正模式中弱化位线漏电流的电路装置

摘要

本发明提供一种可以在编程和过度擦除操作中弱化位线漏电流的方法和一种快擦写存储器元件。快擦写存储器单元排列在I/O区块的阵列中，而I/O区块中有许多行和许多列。在共同阵列的源极连接和接地之间连接着一个电阻器阵列。电阻器阵列包含一组电阻器，每一组电阻器有一个编程模式电阻器和一个APDE模式电阻器。当一条字线选择成编程或APDE的模式时，有一个数据缓冲器可以将一个编程模式电阻器或一个APDE模式电阻器切换至线路当中。这些电阻器的电阻值的选择，是为了使源极上的电压提升至存储器单元的所选择的门限电压之上，所以在编程或APDE时，过度擦除的存储器单元不会提供漏电流至位线。