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用于制造高纯硅的方法、通过该方法得到的高纯硅、以及用于制造高纯硅的硅原料

摘要

本发明提供:一种通过熔融硅的单向凝固制造高纯硅的方法,所述方法能够廉价地并且工业上容易地制造高纯硅,所述高纯硅具有低氧浓度和低碳浓度并且适用于如制造太阳能电池的用途;通过这种方法得到的高纯硅;以及用于制造高纯硅的硅原料。一种当通过使熔融硅原料在铸造容器中单向凝固来制造高纯硅时使用含有100至1000ppmw的碳和0.5至2000ppmw的锗作为原料制造高纯硅的方法,通过这种方法得到的高纯硅,以及用于制造高纯硅的硅原料。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-03

    专利权的转移 IPC(主分类):C01B33/037 登记生效日:20191113 变更前: 变更后: 申请日:20120308

    专利申请权、专利权的转移

  • 2015-11-11

    授权

    授权

  • 2015-02-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B33/037 申请日:20120308

    实质审查的生效

  • 2015-01-07

    公开

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