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公开/公告号CN102270501B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-11-04
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201110145953.3
发明设计人 崔奇焕;李城秀;朴宰佑;朱相炫;
申请日2011-06-01
分类号G11C16/02(20060101);G11C16/06(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人金玉洁
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 09:31:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-11-04
授权
2013-06-19
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/02 申请日:20110601
实质审查的生效
2011-12-07
公开
机译: 具有程序定序器的闪存装置和系统以及编程方法
机译: 包括程序定序器的闪存装置,其系统以及其编程方法
机译:器件编程Flashstream-C闪存编程器
机译:利用冗余定序器和高性能SCADA软件实现高度可靠的仪器系统
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机译:改进3D电荷陷阱NAND闪存器件的Vt分布的反脉冲(CP)编程方法的研究
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机译:重点:诱导多能性和细胞重编程:使用重编程方法探查神经系统疾病
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机译:利用可视化编程语言为专家系统开发结构化设计和编程方法;结构化方法学在mK92维护顾问专家系统,性能模块原型中的应用