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一种准单晶硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种准单晶硅太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:对准单晶硅片进行分类;根据不同的分类选择制绒方法,对所述准单晶硅片的正面进行制绒;在所述硅片正面形成P扩散层,然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层;在所述硅片正面形成减反膜;在所述硅片背面形成背电极和铝背场;在所述硅片正面形成正电极。本发明通过对准单晶硅片进行更加细致地分类;然后根据准单晶硅片的不同分类选择适当的制绒工艺,进而获得外观均匀、效率分布窄、光电转化效率高的太阳能电池。

著录项

  • 公开/公告号CN103165753B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-11-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江正泰太阳能科技有限公司;

    申请/专利号CN201310095972.9

  • 申请日2013-03-22

  • 分类号

  • 代理机构北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人冯谱

  • 地址 310053 浙江省杭州市滨江区滨安路1335号

  • 入库时间 2022-08-23 09:30:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-11-11

    授权

    授权

  • 2013-07-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20130322

    实质审查的生效

  • 2013-06-19

    公开

    公开

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