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三维集成功率厚膜混合集成电路的集成方法

摘要

本发明公开了三维集成功率厚膜混合集成电路的集成方法,该方法采用凸型陶瓷基片代替传统的平面型陶瓷基片,在凸型陶瓷基片底表面及凸起部分两侧面同时进行芯片或片式元器件的集成;采用丝网印刷或描绘的方式,将导带或阻带浆料按产品设计的图形印刷或描绘在凸型陶瓷基片上,经高温烧结和激光调阻后,得到所需基片,两侧面之间通过通孔、金属化填充进行连接;再用共晶焊接或浆料粘接的方式将基片装贴在管基底座上;最后用厚膜混合集成方式,在凸型陶瓷基片上集成一个以上半导体芯片或片式元器件,并完成半导体芯片的引线键合。本方法提升了功率混合集成电路最大使用功率,生产的器件应用领域广泛,特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

著录项

  • 公开/公告号CN103107123B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-09-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 贵州振华风光半导体有限公司;

    申请/专利号CN201210535356.6

  • 发明设计人 杨成刚;苏贵东;

    申请日2012-12-12

  • 分类号H01L21/70(20060101);

  • 代理机构52106 贵阳中工知识产权代理事务所;

  • 代理人刘安宁

  • 地址 550018 贵州省贵阳市新添大道北段238号

  • 入库时间 2022-08-23 09:29:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-09-30

    授权

    授权

  • 2013-06-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/70 申请日:20121212

    实质审查的生效

  • 2013-05-15

    公开

    公开

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