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将金属氟氧化物转化为超导氧化物的受控转化

摘要

一种氧化物超导体产品,其具有一层设置在基底上的氧化物超导体薄膜,其厚度大于0.5微米,该产品在77k、零磁场下具有大于或者等于105A/cm2的临界电流密度(Jc)。该氧化物超导体薄膜的特征在于其具有高的临界电流密度和高体积百分比的c-轴取向氧化物晶粒,甚至可达到1微米。该氧化物超导体产品通过提供金属氟氧化物薄膜来制备,所述金属氟氧化物薄膜包括基本上按照化学计量比例的一种氧化物超导体的组份金属元素;并将金属氟氧化物转换为氧化物超导体,其转换速率通过调节从下述反应参数中选择出来的参数而予以选择,该参数包括温度、PH2O、PO2、时间以及其结合,以便得到在77K、零磁场下具有大于或者等于大约105A/cm2的临界电流密度的氧化物超导体薄膜。

著录项

  • 公开/公告号CN1182597C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-12-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 麻省理工学院;

    申请/专利号CN98808231.4

  • 申请日1998-06-17

  • 分类号H01L39/24;

  • 代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人方挺;余朦

  • 地址 美国马萨诸塞州

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-08-06

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 39/24 授权公告日:20041229 终止日期:20130617 申请日:19980617

    专利权的终止

  • 2004-12-29

    授权

    授权

  • 2000-09-27

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 2000-09-20

    公开

    公开

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