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原位刻蚀制备中空锡基氧化物/碳复合纳米材料的方法

摘要

本发明涉及一种中空锡基氧化物/碳纳米复合材料的制备方法,属于材料合成和电化学技术领域。本发明以碳包覆的二氧化硅复合材料为模板,氯化亚锡(SnCl2·2H2O)为锡源,尿素为碱源,水为溶剂,采用简单的原位刻蚀水热助晶化法,在生成氧化锡基纳米材料的同时,成功脱除二氧化硅模板,从而可得到具有中空球状结构,且形貌均一的锡基氧化物/碳纳米复合材料。其中,锡源与尿素的原料配比是本发明的关键。更重要的是,只是通过简单的控制后续热处理的温度,就可以得到氧化亚锡(SnO)和二氧化锡(SnO2)两种完全不同晶相的碳复合纳米材料。

著录项

  • 公开/公告号CN103346299B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-08-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海大学;

    申请/专利号CN201310227788.5

  • 申请日2013-06-08

  • 分类号H01M4/36(20060101);H01M4/48(20100101);

  • 代理机构31205 上海上大专利事务所(普通合伙);

  • 代理人顾勇华

  • 地址 200444 上海市宝山区上大路99号

  • 入库时间 2022-08-23 09:28:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-02

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01M4/36 授权公告日:20150812 终止日期:20190608 申请日:20130608

    专利权的终止

  • 2015-08-12

    授权

    授权

  • 2015-08-12

    授权

    授权

  • 2013-11-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01M4/36 申请日:20130608

    实质审查的生效

  • 2013-11-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/36 申请日:20130608

    实质审查的生效

  • 2013-10-09

    公开

    公开

  • 2013-10-09

    公开

    公开

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