单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器

摘要

本发明公开了一种单片集成耦合腔窄线宽半导体激光器，包括：基底；缓冲层，形成于该基底之上；下限制层，形成于该缓冲层之上；多量子阱有源层，形成于该下限制层的左端之上；波导层，形成于该下限制层的右端之上；相移光栅层，形成于该多量子阱有源层之上；均匀布拉格光栅层，形成于该波导层之上；上限制层，形成于该有源叠层、该对接区及该无源叠层之上；刻蚀阻止层，形成于该上限制层之上；欧姆接触层，形成于该刻蚀阻止层的左端之上；P电极层，形成于该欧姆接触层之上；以及N电极层，形成于该基底的背面。利用本发明，避免了传统的利用外腔压窄线宽结构的跳模危险，实现频率的稳定性。