公开/公告号CN103123953B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-07-08
原文格式PDF
申请/专利权人 英飞凌科技股份有限公司;
申请/专利号CN201210467043.1
发明设计人 U.奥瑟莱希纳;
申请日2012-11-19
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人胡莉莉
地址 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
入库时间 2022-08-23 09:27:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-07-08
授权
授权
2013-06-26
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/06 申请日:20121119
实质审查的生效
2013-05-29
公开
公开
机译: 电子设备,包括具有三个接触点的霍尔效应区域(电子设备,包括具有三个接触点的霍尔效应区域,改善了对称的孔)
机译: 制造微电子器件即互补金属氧化物半导体的方法包括形成接触层,该接触层包括一部分半导体材料层以及一部分金属层和涂层。
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