绝缘体上半导体金属结构、形成此些结构的方法及包含此些结构的半导体装置

摘要

用于制作绝缘体上半导体金属SMOI结构的方法包含：形成包含第一半导体衬底上的绝缘体材料的受体晶片；形成包含第二半导体衬底上的导电材料及非晶硅材料的施主晶片；以及将所述施主晶片的所述非晶硅材料接合到所述受体晶片的所述绝缘体材料。本发明还揭示由此些方法形成的SMOI结构，也揭示包含此些SMOI结构的半导体装置。