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钌或钌的氧化物薄膜的制备方法

摘要

通过CVD法制备的钌或钌的氧化物薄膜,采用通式(I)表示的化合物作为金属钌原料:其中R1和R2分别代表具有1到4个碳原子的不同的烷基。

著录项

  • 公开/公告号CN1176245C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-11-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 旭电化工业株式会社;

    申请/专利号CN00100324.0

  • 发明设计人 小野沢和久;增子哲史;神元俊哉;

    申请日2000-01-25

  • 分类号C23C16/18;

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人于辉

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-04-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/18 授权公告日:20041117 终止日期:20110125 申请日:20000125

    专利权的终止

  • 2012-04-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/18 授权公告日:20041117 终止日期:20110125 申请日:20000125

    专利权的终止

  • 2006-10-25

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 变更前: 变更后: 申请日:20000125

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2006-10-25

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 变更前: 变更后: 申请日:20000125

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2006-10-25

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 变更前: 变更后: 申请日:20000125

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2004-11-17

    授权

    授权

  • 2004-11-17

    授权

    授权

  • 2002-02-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2002-02-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2000-08-09

    公开

    公开

  • 2000-08-09

    公开

    公开

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