基于P型ZnSe/N型Si核壳纳米线异质结的存储器的制备方法

摘要

本发明公开了基于P型ZnSe/N型Si核壳纳米线异质结的存储器的制备方法，其特征是按如下步骤进行：在硅片1上制备绝缘层2，将P型ZnSe/N型Si核壳纳米线分散在绝缘层2上，在绝缘层上制备与N型Si壳层为欧姆接触的N型Si电极对，N型Si电极对通过纳米线连通；将N型Si电极对之间的N型Si壳层刻蚀至露出P型ZnSe纳米线核，并在露出的P型ZnSe纳米线核上制备与P型ZnSe纳米线核交叉呈欧姆接触的P型ZnSe电极。本发明利用P型ZnSe/N型Si核壳纳米线制备的存储器，开关比大、存储时间长、性能稳定且可重复性好，为存储器件的高度集成化奠定基础。