公开/公告号CN103236439B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-06-17
原文格式PDF
申请/专利权人 无锡新洁能股份有限公司;
申请/专利号CN201310142008.7
申请日2013-04-22
分类号H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构32228 无锡华源专利事务所(普通合伙);
代理人孙力坚
地址 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号B1号楼2层
入库时间 2022-08-23 09:26:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-06-17
授权
授权
2013-09-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20130422
实质审查的生效
2013-08-07
公开
公开
机译: 具有改善操作性能的多发射极型双极结型晶体管,一种双极CMOS DMOS器件,一种制造多发射极型双极结型晶体管的方法以及一种制造双极CMOS DMOS的方法
机译: 沟槽栅极耗尽型VDMOS器件和制造方法
机译: 沟道栅耗尽型VDMOS器件及其制造方法