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立方晶氮化硼的合成方法及立方晶氮化硼烧结体的制法

摘要

本发明提供了一种在低压条件下从hBN合成cBN的低压合成方法及利用cBN原料粉末的cBN烧结体的制造方法。使用合金粉末或混合粉末作为金属催化剂在低压(4GPa以上)且1200~1700℃下从hBN合成cBN,并且,以cBN为原料粉末,使原料粉末中含有用作金属催化剂的上述合金粉末或混合粉末作为烧结助剂并进行烧结,从而得到cBN烧结体。其中,所述合金粉末或混合粉末由以下组成成分构成:在Cr为10~55质量%、Mo为10~50质量%及(Cr+Mo)为10~50质量%的范围内含有Cr及Mo中任意1种或2种,并且含有1~50质量%的V及1.5~8质量%的Al,剩余部分为Fe、Ni及Co中任意1种或2种以上。

著录项

  • 公开/公告号CN102731097B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-06-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三菱综合材料株式会社;

    申请/专利号CN201210043797.4

  • 发明设计人 阿罕默迪·埃科·瓦多约;福长修;

    申请日2012-02-23

  • 分类号B01J23/85(20060101);

  • 代理机构11018 北京德琦知识产权代理有限公司;

  • 代理人康泉;王珍仙

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2022-08-23 09:26:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-06-24

    授权

    授权

  • 2014-02-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/5831 申请日:20120223

    实质审查的生效

  • 2012-10-17

    公开

    公开

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