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微测辐射热计红外探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种微测辐射热计红外探测器的制备方法,包括下列步骤:步骤A,采用CMOS工艺制造信号处理电路,同时形成红外探测器单元半成品;步骤B,采用干法刻蚀工艺刻蚀红外探测器单元半成品,形成腐蚀窗口;步骤C,淀积保护层,并刻蚀保护层形成侧墙;步骤D,通过腐蚀窗口腐蚀硅衬底,在红外探测器单元中制作悬空的悬臂和红外吸收层,并形成空腔。上述微测辐射热计红外探测器的制备方法,采用市场上商业标准CMOS工艺与MEMS工艺相结合,可以将红外探测器单元与信号处理电路集成在一个芯片上,其制作工艺与标准CMOS工艺完全兼容,易于集成,非常适合大批量生产。相对于采用成本昂贵及工艺不成熟的SOI技术来说,成本得到大大降低,易于实现工业化量产。

著录项

  • 公开/公告号CN102818638B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-04-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院深圳先进技术研究院;

    申请/专利号CN201110150974.4

  • 发明设计人 俞挺;于峰崎;彭本贤;

    申请日2011-06-07

  • 分类号

  • 代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司;

  • 代理人吴平

  • 地址 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号

  • 入库时间 2022-08-23 09:25:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-04-15

    授权

    授权

  • 2013-01-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01J 5/20 申请日:20110607

    实质审查的生效

  • 2012-12-12

    公开

    公开

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