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镓砷磷/磷化镓黄光窄带探测器及其制造方法

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摘要

镓砷磷/磷化镓黄光窄带探测器及其制造方法，涉及一种探测器。提供一种用于红外上转换材料检测的镓砷磷/磷化镓黄光窄带探测器及其制造方法。探测器设有外延片，外延片自下而上依次设有n型高掺杂磷化镓单晶衬底、非掺杂的磷化镓缓冲层、非掺杂的GaAs

1. 镓砷磷/磷化镓黄光窄带探测器及其制造方法 [P] . 中国专利： CN102820344B . 2015.04.08
2. 制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法 [P] . 中国专利： CN100341214C . 2007.10.03
3. method for the removal of gallium arsenide or galliumphosphid from the gas phase using a gallium arsenide or galliumphosphidreichen source [P] . 德国专利： DE000001696611A . 1971-11-18

机译：砷化镓或磷化镓的气相色谱法从气相中去除砷化镓或磷化镓的方法
4. Gallium arsenide phosphide epitaxial disc - having layer system of gallium arsenide phosphide and used to mfr. light emitting diodes [P] . 德国专利： DE4325331A1 . 1994-02-24

机译：磷化砷化镓外延盘-具有磷化砷化镓层系统，用于制造。发光二极管
5. A process for the removal of gallium arsenide or gallium phosphide from the gas phase under the use of a gallium arsenide - or gallium phosphite three chen source [P] . 德国专利： DE1696611A1 . 1971-11-18

机译：一种使用砷化镓或亚磷酸镓三陈源从气相中去除砷化镓或磷化镓的方法