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曝光装置用光照射装置、曝光装置、曝光方法、基板制造方法、掩模和被曝光基板

摘要

本发明提供可不使用高价掩模而改善析像度的曝光装置用光照射装置、接近曝光装置、接近曝光方法和基板制造方法。此外,本发明提供可高效地制造滤色器或液晶面板的掩模、被曝光基板、曝光装置和曝光方法。接近曝光装置使从多个光源部(73)射出的光的主光轴(L)分散入射到积分器(74)的周边部上。此外,掩模具有:形成有曝光到被曝光基板上的图案的曝光图案;形成在与曝光图案的外缘的第一边相邻的位置上的第一校准标识;和形成在与曝光图案的外缘的跟第一边相对置的第二边相邻的位置的第二校准标识;第一校准标识配置在从步进方向观察时与形成第二校准标识的位置不重叠的位置上。

著录项

  • 公开/公告号CN102449552B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 恩斯克科技有限公司;

    申请/专利号CN201180001719.1

  • 申请日2011-02-23

  • 分类号G03F7/20(20060101);G03F1/42(20120101);H01L21/027(20060101);

  • 代理机构11298 北京泛诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈波;高永懿

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2022-08-23 09:24:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-23

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G03F 7/20 变更前: 变更后: 申请日:20110223

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2016-03-23

    专利权的转移 IPC(主分类):G03F 7/20 登记生效日:20160301 变更前: 变更后: 申请日:20110223

    专利申请权、专利权的转移

  • 2015-04-08

    授权

    授权

  • 2012-06-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20110223

    实质审查的生效

  • 2012-05-09

    公开

    公开

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