公开/公告号CN103094104B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-03-11
原文格式PDF
申请/专利权人 无锡友达电子有限公司;
申请/专利号CN201210535643.7
申请日2012-12-12
分类号
代理机构南京经纬专利商标代理有限公司;
代理人楼高潮
地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区106-C地块锡锦路5号
入库时间 2022-08-23 09:24:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-03-11
授权
授权
2013-06-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/331 申请日:20121212
实质审查的生效
2013-05-08
公开
公开
机译: 用于mos FET或类似半导体器件的锑磷掩埋层及其制造方法
机译: 控制双极集成电路中掩埋层中掺杂剂的扩散
机译: 双极集成电路中埋层扩散掺杂的控制