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采用磷埋层及浓磷埋层技术的双极横向PNP管制作工艺

摘要

本发明公布了一种采用磷埋层及浓磷埋层技术的双极横向PNP管制作工艺,包括如下步骤,投料、氧化、磷埋层光刻、注入、磷埋层退火、硼埋层光刻、注入、浓磷埋层光刻、注入、浓磷埋层退火、N型外延、深磷扩散、隔离扩散、基区注入、浓硼注入、基区退火、N+扩散、接触孔光刻、腐蚀、一铝溅射、介质淀积、通孔光刻、刻蚀、二铝溅射、压点光刻、刻蚀。采用磷埋层及浓磷埋层技术的双极工艺制作的横向PNP管,其面积可比采用锑埋层技术缩小约35%。这将极大的降低微电子产品设计及流片成本,提高产品的市场竞争力及占有率,从而推动国际集成电路不断向更高品质及更低碳环保方向发展。

著录项

  • 公开/公告号CN103094104B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-03-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 无锡友达电子有限公司;

    申请/专利号CN201210535643.7

  • 发明设计人 朱伟民;邓晓军;沈健雄;

    申请日2012-12-12

  • 分类号

  • 代理机构南京经纬专利商标代理有限公司;

  • 代理人楼高潮

  • 地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区106-C地块锡锦路5号

  • 入库时间 2022-08-23 09:24:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-03-11

    授权

    授权

  • 2013-06-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/331 申请日:20121212

    实质审查的生效

  • 2013-05-08

    公开

    公开

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