首页> 中国专利> 利用单元库方式进行布局设计的半导体集成电路装置

利用单元库方式进行布局设计的半导体集成电路装置

页面导航

摘要

预先在连通单元(40)及顶盖单元(41)中形成由栅电极(13)和一对P型扩散层(10a、10b)和N型扩散层(11a、11b)构成的基本对。由此，因为即使在制成布局图之后产生了设计变更，也可由上述基本对形成逻辑电路，故可灵活地与设计变更相对应。

1. 利用单元库方式进行布局设计的半导体集成电路装置 [P] . 中国专利： CN1151552C . 2004.05.26
2. 单元、标准单元、标准单元库、使用标准单元的布局方法和半导体集成电路 [P] . 中国专利： CN1794459A . 2006-06-28
3. Method and apparatus for designing LSI layout, cell library for designing LSI layout and semiconductor integrated circuit [P] . 美国专利： US6336207B2 . 2002-01-01

机译：设计LSI布局的方法和装置，设计LSI布局的单元库和半导体集成电路
4. Method and apparatus for designing LSI layout, cell library for designing LSI layout and semiconductor integrated circuit [P] . 美国专利： US06336207B1 . 2002-01-01

机译：设计LSI布局的方法和装置，设计LSI布局的单元库和半导体集成电路
5. METHOD AND APPARATUS FOR DESIGNING LSI LAYOUT, CELL LIBRARY FOR DESIGNING LSI LAYOUT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT [P] . 美国专利： US2001049815A1 . 2001-12-06

机译：设计LSI布局的方法和装置，用于设计LSI布局的单元库和半导体集成电路