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离子迁移率谱仪半透膜预富集进样方法及装置

摘要

本发明公开了一种离子迁移率谱仪半透膜预富集进样方法及装置,涉及离子迁移率谱仪技术,该装置包括采样部分、半透膜进样部分和解吸部分,其中半透膜进样部分包括半透膜、半透膜温控装置;在离子迁移率谱仪半透膜富集进样过程中,采样时半透膜处于室温,而解吸时利用半透膜温控装置将半透膜加热至80℃~300℃。由于采样过程中半透膜处于室温,有利于被测物在半透膜中的富集;而解吸过程中半透膜加热至80℃~300℃,有利于其中富集的被测物在热解吸的同时更有效地透过半透膜进入离子迁移率谱仪漂移管。采用本发明装置及方法有效地降低离子迁移率谱仪的检测下限。

著录项

  • 公开/公告号CN103018313B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院电子学研究所;

    申请/专利号CN201110279403.0

  • 发明设计人 高晓光;贾建;李建平;何秀丽;

    申请日2011-09-20

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周国城

  • 地址 100190 北京市海淀区北四环西路19号

  • 入库时间 2022-08-23 09:23:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-03-04

    授权

    授权

  • 2013-05-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/62 申请日:20110920

    实质审查的生效

  • 2013-04-03

    公开

    公开

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