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真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法

摘要

本发明涉及薄膜制备方法,特别是一种真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法。其特征在于包括以下步骤:清洗基片;将三氧化钨粉末或粉末压片放入电子束蒸发器真空室的坩埚中,将铂丝放在电阻式加热源上,并将清洁的基片固定在样品架上;用电子束加热使三氧化钨升华并沉积在基片上,真空镀膜机真空室压力为10-2-10-3Pa,真空室温度为200-300℃,电子束流为0.1-0.2mA;通过电阻加热蒸镀一层铂催化层,真空室压力为5-6.5×10-3Pa,真空室温度为200-300℃,阻蒸电流在120-245A之间。本发明具有成本低,方法简单,薄膜质量好,均匀,变色响时间短等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN1142317C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-03-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院广州能源研究所;

    申请/专利号CN01107472.8

  • 发明设计人 沈辉;卢志坚;徐雪青;

    申请日2001-01-19

  • 分类号C23C14/08;C23C14/30;

  • 代理机构广州知友专利代理有限公司;

  • 代理人李志明

  • 地址 510070 广东省广州市先烈中路81号大院广州能源研究所

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-03-19

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2004-03-17

    授权

    授权

  • 2001-10-10

    公开

    公开

  • 2001-09-12

    实质审查的生效

    实质审查的生效

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