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用于形成具有粗糙表面的发光二极管的光学对准方法

摘要

用于形成具有粗糙表面的发光二极管的光学对准方法。一种当用光刻制造发光二极管LED时对准晶片的方法。该方法包含在晶片上形成至少一个具有均方根RMS表面粗糙度σS的变粗糙的对准标记。该变粗糙的对准标记是由于进行等离子蚀刻使晶片对准标记驻留在其上的LED表面变粗糙而形成的。该方法还包含以具有波长λA的对准光使该至少一个变粗糙的晶片对准标记成像,该波长λA是在从约2σS到8σS的范围内。该方法还包含把检测的像与对准参考进行比较以建立晶片对准。一旦晶片对准被建立,p接触和n接触能够被形成在LED上表面上它们的适当位置中。

著录项

  • 公开/公告号CN102087479B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-09-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 超科技公司;

    申请/专利号CN201010567087.2

  • 申请日2010-11-30

  • 分类号G03F7/20(20060101);G03F9/00(20060101);

  • 代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人蒋世迅

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2022-08-23 09:21:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-24

    专利权的转移 IPC(主分类):G03F7/20 登记生效日:20200403 变更前: 变更后: 申请日:20101130

    专利申请权、专利权的转移

  • 2014-09-17

    授权

    授权

  • 2014-09-17

    授权

    授权

  • 2013-01-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/20 申请日:20101130

    实质审查的生效

  • 2013-01-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20101130

    实质审查的生效

  • 2011-06-08

    公开

    公开

  • 2011-06-08

    公开

    公开

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