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原位生长于铝基底上的杯芳烃插层水滑石薄膜及其制备方法

摘要

本发明属于有机-无机复合材料技术领域,涉及一种原位生长于铝基底上的杯芳烃插层水滑石薄膜及其制备方法。该薄膜是先通过电解氧化法在金属铝基板上生成一层致密氧化铝层作为铝基底,再采用原位生长法在该基底上生成层板垂直铝基底排列的杯芳烃插层水滑石薄膜;杯芳烃插层水滑石薄膜的化学式为:[(M2+)1-x(M3+)x(OH)2]x+(CMCS44-)x/4·mH2O;其中0.25≤x≤0.33,m=3~6为层间结晶水分子数,M2+为二价金属离子Ni2+、Zn2+、Co2+或Mg2+;M3+为三价金属离子Al3+;CMCS为O(1),O(2),O(3),O(4)-四羧甲基杯[4]芳烃。本发明利用原位生长技术,可以将具有独特包合性能的杯芳烃组装进入水滑石层间,实现杯芳烃的固定化和水滑石的功能化,制备的杯芳烃插层水滑石膜,与基底的作用力较强,不易脱落。

著录项

  • 公开/公告号CN102650065B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-09-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 淄博职业学院;

    申请/专利号CN201210139464.1

  • 发明设计人 刘晓磊;

    申请日2012-05-08

  • 分类号C25D11/04(20060101);C25D11/24(20060101);

  • 代理机构37212 青岛发思特专利商标代理有限公司;

  • 代理人耿霞

  • 地址 255314 山东省淄博市淄博新区联通路西首

  • 入库时间 2022-08-23 09:21:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-06-22

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C25D 11/04 授权公告日:20140910 终止日期:20150508 申请日:20120508

    专利权的终止

  • 2014-09-10

    授权

    授权

  • 2012-10-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):C25D 11/04 申请日:20120508

    实质审查的生效

  • 2012-08-29

    公开

    公开

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