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基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置

摘要

本发明公开了一种基于倾斜光束边发射激光器的硅波导输出面上光源装置,适用于硅基光子集成芯片的光源部分。该面上光源装置包括硅基耦合光栅部分和III-V族倾斜光束边发射激光器部分,其中硅基部分采用SOI材料,其上分布着布拉格光栅和耦合输出波导,实现高效耦合输出。III-V族倾斜光束边发射激光器结构直接键合于SOI上,光束向斜下方发射,照射到硅基布拉格光栅上,再耦合到硅基波导中。本发明通过倾斜光束边发射激光器与光栅的高效耦合,形成一种面上光源装置,其可通过事先对激光器进行选择,然后再集成到硅基上来实现,可实现更高的功率,工艺难度也不大,其中倾斜光束边发射激光器具有极低的发散角。

著录项

  • 公开/公告号CN103199436B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201310053244.1

  • 申请日2013-02-19

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人宋焰琴

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 09:21:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-06-01

    著录事项变更 IPC(主分类):H01S 5/20 变更前: 变更后: 申请日:20130219

    著录事项变更

  • 2014-10-22

    授权

    授权

  • 2013-08-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/20 申请日:20130219

    实质审查的生效

  • 2013-07-10

    公开

    公开

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