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III族金属氮化物单晶的制造方法

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在基板上形成多个III族金属氮化物单晶的晶种膜(3C)，此时在基板上形成没有被所述晶种膜(3C)覆盖的非育成面(1b)的晶种膜。通过助熔剂法在所述晶种膜上育成III族金属氮化物单晶。多个晶种膜(3C)由所述非育成面(1b)相互分开，且至少在两个方向上排列。晶种膜(3C)的最大内切圆直径(A)为50μm以上、6mm以下，晶种膜(3C)的外接圆直径为50μm以上、10mm以下，非育成面(1b)的最大内切圆直径为100μm以上、1mm以下。

著录项

公开/公告号CN102471920B

专利类型发明专利
公开/公告日2014-10-29

原文格式PDF
申请/专利权人日本碍子株式会社;
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申请/专利号CN201080030599.3
发明设计人下平孝直;今井克宏;岩井真;
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申请日2010-07-06
分类号
代理机构上海市华诚律师事务所;
代理人李晓
地址日本爱知县名古屋市瑞穗区须田町2番56号
入库时间 2022-08-23 09:21:15

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-06-23

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B9/10 授权公告日:20141029 终止日期:20190706 申请日:20100706

专利权的终止
2014-10-29

授权

授权
2014-10-29

授权

授权
2012-07-04

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B9/10 申请日:20100706

实质审查的生效
2012-07-04

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 9/10 申请日:20100706

实质审查的生效
2012-05-23

公开

公开
2012-05-23

公开

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