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一种由纳米氧化铬直接氮化制备纳米氮化铬粉体的方法

摘要

本发明涉及一种制备纳米氮化铬粉体的方法。主要特征是以20-50nm的纳米氧化铬(Cr2O3)为原料,在氨气氛中将氧化铬于管式反应炉中高温氮化直接制得纳米氮化铬粉体。通过氮化温度、氮化保温时间、氨气流速三者的有机匹配,可得到晶粒尺寸小于100nm的氮化铬粉体。直接氮化的条件是:(1)氮化反应温度控制在800-900℃;(2)氨气流量为0.5~5升/分钟;(3)氮化保温时间6-8小时;(4)氮化升温速率为5-10℃/分钟;(5)在流动氨气氛下,自然冷却至室温。本方法具有工艺简单、生产成本低和适合大规模生产等特点。

著录项

  • 公开/公告号CN1151071C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-05-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;

    申请/专利号CN01131974.7

  • 发明设计人 高濂;李耀刚;李景国;

    申请日2001-10-22

  • 分类号C01G37/02;

  • 代理机构31002 上海智信专利代理有限公司;

  • 代理人潘振甦

  • 地址 200050 上海市定西路1295号

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2005-12-21

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 2004-05-26

    授权

    授权

  • 2002-04-10

    公开

    公开

  • 2002-02-13

    实质审查的生效

    实质审查的生效

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