首页> 中国专利> 为实现静电放电保护而使用非电阻特性物质的半导体元件

为实现静电放电保护而使用非电阻特性物质的半导体元件

摘要

一种保护芯片内部以防止ESD(静电放电)及浪涌脉冲损伤的与另外保护电路无关而在完成封装或制造芯片的过程中实现的半导体元件,其构成如下:引线框架各自的输出入管脚利用在特定电压具有导电体性质的非电阻特性物质连接,或者将供应电源线、接地电源线及连接输出入焊接点和芯片的内部电路的信号线之间各自连接于非电阻特性物质。

著录项

  • 公开/公告号CN1143385C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-03-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 现代电子产业株式会社;

    申请/专利号CN97116164.X

  • 发明设计人 洪起元;金南镐;赵大卫;

    申请日1997-08-08

  • 分类号H01L23/60;H01L27/02;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人马涛

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-10-03

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 2007-10-03

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 2004-12-01

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 变更前: 变更后: 申请日:19970808

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2004-12-01

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 变更前: 变更后: 申请日:19970808

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2004-12-01

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 变更前: 变更后: 申请日:19970808

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2004-03-24

    授权

    授权

  • 2004-03-24

    授权

    授权

  • 1998-03-18

    公开

    公开

  • 1998-03-18

    公开

    公开

  • 1998-02-18

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1998-02-18

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

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