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纳米尺度沟道晶体管的块接触结构

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摘要

一种纳米尺度沟道器件的接触体系结构，具有耦合并延伸在具有多个并行半导体本体的源区和漏区之间的接触结构。所述接触结构能够接触具有亚光刻间距的并行半导体本体。

公开/公告号CN101208805B

专利类型发明专利
公开/公告日2014-07-30

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申请/专利权人英特尔公司;
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申请/专利号CN200680023301.X
发明设计人 M·拉多萨夫耶维克;A·马祖姆达;B·S·多伊尔;J·卡瓦利罗斯;M·L·多茨;J·K·布拉斯克;U·沙;S·达塔;R·S·曹;
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申请日2006-06-29
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人曾祥夌
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:20:09

1. 纳米尺度沟道晶体管的块接触结构 [P] . 中国专利： CN101208805B . 2014.07.30
2. 薄膜晶体管结构及沟道电阻和接触电阻的测量方法 [P] . 中国专利： CN109637944B . 2020.10.30
3. METHODS OF FORMING NANO-SCALE PORES, NANO-SCALE ELECTRICAL CONTACTS, AND MEMORY DEVICES INCLUDING NANO-SCALE ELECTRICAL CONTACTS, AND RELATED STRUCTURES AND DEVICES [P] . 美国专利： US2014015143A1 . 2014-01-16

机译：形成纳米尺度的孔，纳米尺度的电接触和包括纳米尺度的电接触的存储器的方法以及相关的结构和设备
4. - - Preparing method of the core-shell structured carbon nanotube channel structure and carbon nanotube channel structure by the same method and carbon nanotube transistor having the same [P] . 韩国专利： KR101700244B1 . 2017-01-26

机译： ---用相同方法制备核-壳结构的碳纳米管沟道结构和碳纳米管沟道结构的方法以及具有该结构的碳纳米管晶体管
5. Block contact architectures for nanoscale channel transistors [P] . 美国专利： US7898041B2 . 2011-03-01

机译：纳米级沟道晶体管的块接触架构