一种非易失性存储单元及其数据编程、读取、擦除方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储单元及其数据编程、读取、擦除方法，该非易失性存储单元包括晶体管，所述晶体管包括：漏极、源极、栅极和衬底，其中，所述栅极与字线连接；所述漏极与位线连接；所述源极与源线连接；所述衬底与衬底线连接。本发明所述的非易失性存储单元及其制造方法，与现有逻辑工艺尤其是深亚微米逻辑工艺完全兼容，存储单元的面积能够随逻辑工艺的缩小而缩小。