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低介电常数无机／有机复合介电薄膜及其制造方法

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公开了一种在半导体或集成电路衬底上的介电薄膜及其制造方法，其中，所述介电薄膜具有基本由无机基团和有机基团构成的骨架结构和结合在所述骨架结构上的有机侧基，形成一种无机和有机材料的复合材料，从而提供了具有小于4.0的介电常数并表现出在氮气中在400℃失重小于每小时2%的所述薄膜。所述介电薄膜通过等离子体CVD法沉积在位于支架(16)上的衬底(14)上，所述支架通过射频电源(18)偏置。通过气体进口(26)或(28)把有机硅前体引入到沉积室(11)中。

著录项

公开/公告号CN1142059C

专利类型发明授权
公开/公告日2004-03-17

原文格式PDF
申请/专利权人硅谷集团热系统责任有限公司;
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申请/专利号CN99806506.4
发明设计人 P·罗斯;E·洛帕塔;J·费尔茨;
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申请日1999-04-15
分类号B32B9/04;H05H1/24;C23C16/00;
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人段承恩
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 08:56:35

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-06-04

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B32B 9/04 授权公告日:20040317 终止日期:20130415 申请日:19990415

专利权的终止
2014-06-04

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B32B 9/04 授权公告日:20040317 终止日期:20130415 申请日:19990415

专利权的终止
2004-06-30

专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20040521 申请日:19990415

专利申请权、专利权的转移专利权的转移
2004-06-30

专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更前: 变更后: 申请日:19990415

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2004-06-30

专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更前: 变更后: 申请日:19990415

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2004-06-30

专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更前: 变更后: 申请日:19990415

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2004-06-30

专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更前: 变更后: 申请日:19990415

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2004-06-30

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专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2004-06-30

专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更前: 变更后: 申请日:19990415

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2004-06-30

专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更前: 变更后: 申请日:19990415

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2004-06-30

专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20040521 申请日:19990415

专利申请权、专利权的转移专利权的转移
2004-06-30

专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20040521 申请日:19990415

专利申请权、专利权的转移专利权的转移
2004-03-17

授权

授权
2004-03-17

授权

授权
2001-07-11

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效
2001-07-11

实质审查请求的生效

实质审查请求的生效
2001-07-04

公开

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2001-07-04

公开

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