集成的基于氮化物和碳化硅的器件以及制造集成的基于氮化物的器件的方法

摘要

提供了包括共用氮化物外延层的单块电子器件。第一类型氮化物器件设置在共用氮化物外延层上，在共用氮化物外延层上包括至少一个第一注入n型区。该至少一个第一注入n型区具有大于共用氮化物外延层的掺杂浓度的第一掺杂浓度。不同于第一类型氮化物器件的第二类型氮化物器件包括至少一个第二注入n型区，设置在共用氮化物外延层上。该至少一个第二注入n型区不同于至少一个第一注入n型区以及具有大于共用氮化物外延层的掺杂浓度的第二掺杂浓度。多个第一电接触设置在至少一个第一注入n型区上。多个第一接触限定第一类型氮化物器件的第一电子器件。多个第二电接触设置在至少一个第二n型注入区上。多个第二接触限定第二类型电子器件的第二电子器件。还公开了相应的方法。