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Ag、Ti共掺杂DLC薄膜的制备方法

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摘要

本发明公开了一种Ag、Ti共掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将清洗吹干的基材装夹在载物台上，正对离子束源；（2）Ar

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-07-17

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C16/27 授权公告日:20140702 终止日期:20190801 申请日:20120801

专利权的终止
2014-07-02

授权

授权
2014-07-02

授权

授权
2013-01-30

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/27 申请日:20120801

实质审查的生效
2013-01-30

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/27 申请日:20120801

实质审查的生效
2012-12-12

公开

公开
2012-12-12

公开

公开

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1. Ag、Ti共掺杂DLC薄膜的制备方法 [P] . 中国专利： CN102817008B . 2014.07.02
2. 一种高透、高阻、高硬度共掺杂DLC薄膜的制备方法 [P] . 中国专利： CN112899631A . 2021-06-04
3. Co-DOPED Ti2FeNiSb2 DOUBLE HALF-HEUSLER ALLOY AND PREPARATION METHOD THEREOF [P] . KR102227069B1 . 2021-03-16

机译：共掺杂Ti2FenisB2双半风格合金及其制备方法
4. Photoanode comprising Ti:B co-doped hematite and preparing method thereof [P] . 韩国专利： KR20190083511A . 2019-07-12

机译：含Ti：B共掺杂赤铁矿的光电阳极及其制备方法
5. Photoanode comprising Ti:B co-doped hematite and preparing method thereof [P] . 韩国专利： KR102017104B1 . 2019-09-02

机译：含Ti：B共掺杂赤铁矿的光电阳极及其制备方法