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在半导体器件的制造中减少黑硅的方法

摘要

在形成硬腐蚀掩模之前,通过在至少晶片的圆周区内形成介质层来减少黑硅的形成。

著录项

  • 公开/公告号CN1147924C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2004-04-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西门子公司;

    申请/专利号CN98123097.0

  • 发明设计人 彭杜清;

    申请日1998-12-21

  • 分类号H01L21/306;H01L21/308;H01L21/316;H01L21/8242;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人黄敏

  • 地址 联邦德国慕尼黑

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-02-17

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2004-04-28

    授权

    授权

  • 2001-04-11

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1999-07-07

    公开

    公开

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