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公开/公告号CN103030386B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-04-09
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学;
申请/专利号CN201310002886.9
发明设计人 杨彬;李彩霞;张锐;孙晔;曹文武;
申请日2013-01-05
分类号C04B35/26(20060101);C04B35/622(20060101);
代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;
代理人王艳萍
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2022-08-23 09:18:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-04-09
授权
2013-05-08
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/26 申请日:20130105
实质审查的生效
2013-04-10
公开
机译: 室温下同时具有铁电性和铁磁性的多铁性体
机译: 具有优异室温多铁性的复合钙钛矿陶瓷和薄膜及其制备方法
机译: 使用Mn系列反铁磁合金的巨型磁阻自旋阀薄膜,特别是与在低磁场中实现高磁阻比且具有高磁灵敏度的薄膜有关
机译:Bi_(4.25)La_(0.75)Fe_(0.5)Co_(0.5)Ti_3O_(15)陶瓷的铁磁,铁电性能和磁介电效应
机译:双层钙钛矿La_2CoMnO_6陶瓷的介电,铁磁特性和室温磁介电效应
机译:铅BNT-BZT铁电特性的高室温热电特性,用于热能收割的铁电陶瓷
机译:多铁性Pb(Fe_(0.5)Nb_(0.5))O_3的高织构化薄膜中的铁电,铁磁和磁电耦合
机译:新型铁磁,铁电,单相和复合多铁性介孔材料的合成与表征
机译:La0.2Pb0.7Fe12O19多铁性陶瓷:铁电性铁磁性和巨大的磁电容效应
机译:具有高电光系数的新型透明铁电陶瓷:pLmN-pT具有高电光系数的新型透明铁电陶瓷:pLmN-pT
机译:室温下多铁性BiFeO3薄膜中反铁磁畴的电学控制。