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具有本征二极管的可切换结

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摘要

具有本征二极管的可切换结（600）包括第一电极（635）和第二电极（640）。第一记忆电阻基体（605）形成具有可编程电导的、与第一电极（635）的电气界面（625）。半导体基体（615）与第一记忆电阻基体（605）电气接触并形成与第二电极（640）的整流二极管界面（630）。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-04-17

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/861 授权公告日:20140312 终止日期:20170327 申请日:20090327

专利权的终止
2017-03-01

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/861 登记生效日:20170207 变更前: 变更后: 申请日:20090327

专利申请权、专利权的转移
2017-03-01

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/861 登记生效日:20170207 变更前: 变更后: 申请日:20090327

专利申请权、专利权的转移
2014-03-12

授权

授权
2014-03-12

授权

授权
2012-05-09

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/861 申请日:20090327

实质审查的生效
2012-05-09

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/861 申请日:20090327

实质审查的生效
2012-02-29

公开

公开
2012-02-29

公开

公开

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1. 具有本征二极管的可切换结 [P] . 中国专利： CN102365750B . 2014.03.12
2. 具有带有不同开关阈值的本征二极管的可开关结 [P] . 中国专利： CN102648528B . 2016.02.17
3. Switchable junction with an intrinsic diode formed with a voltage dependent resistor [P] . 美国专利： US8982601B2 . 2015-03-17

机译：与由压敏电阻形成的本征二极管的可切换结
4. Switchable Junction with Intrinsic Diode [P] . 美国专利： US2012001143A1 . 2012-01-05

机译：带本征二极管的可切换结
5. Silicon carbide based field-effect transistor, particularly junction field-effect transistor for use with circuit arrangement, has intrinsic backward-diode, which enables current conduction through field-effect transistor [P] . 德国专利： DE102008046990A1 . 2010-03-25

机译：基于碳化硅的场效应晶体管，特别是与电路装置配合使用的结型场效应晶体管，具有本征反向二极管，该二极管可以使电流通过场效应晶体管传导