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采用改进流延成型工艺制备反应烧结碳化硅陶瓷的方法

摘要

本发明一种改进流延成型工艺制备反应烧结碳化硅陶瓷的方法,涉及将由流延膜脱粘后的多孔素坯中真空浸渍酚醛树脂溶液,干燥、碳化后再经反应渗硅得到致密的反应烧结碳化硅陶瓷。本发明包含如下步骤:先用流延成型的方法制备得到多孔的含碳素坯;再将多孔素坯,真空浸渍到酚醛树脂溶液中,浸渍完全后将素坯干燥、碳化,最后将碳化后的素坯在真空炉中反应渗硅,得到致密的反应烧结碳化硅陶瓷。本发明以流延成型工艺用于反应烧结碳化硅素坯的制备为基础,对该工艺中存在的游离硅含量高的不足进行改进,不仅保持了流延工艺可叠层设计的优点,而且有效地降低了反应烧结陶瓷中残留Si的含量以及显著提高烧结体的抗弯强度。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-07

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 35/565 授权公告日:20131016 终止日期:20170923 申请日:20110923

    专利权的终止

  • 2013-10-16

    授权

    授权

  • 2013-10-16

    授权

    授权

  • 2012-07-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/565 申请日:20110923

    实质审查的生效

  • 2012-07-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/565 申请日:20110923

    实质审查的生效

  • 2012-06-20

    公开

    公开

  • 2012-06-20

    公开

    公开

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