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一种存储器的读出电路及其从存储器中读出数据的方法

摘要

本发明适用于半导体器件领域,提供了一种存储器读出电路及其读出数据的方法。所述读出电路采用两级开环放大器结构,所述放大器具有一差分输入对;所述差分输入对的两个输入端分别连接一存储单元和一参考单元;所述参考单元为一未编程的存储单元,在版图上和存储单元放置在一起。所述方法包括下述步骤:在读出数据之前,对差分输入对的两个输入端的数据清零。本发明对读出电路的数据读出方法进行改进,在读出数据之前,首先对差分输入对的两个输入端的数据清零,使读出的数据不容易被辐照电离出的电荷影响,在一定程度上提高了读出电路的抗辐照性能,通过设置放大器的放大倍数和带宽,可实现高精度和高速度。

著录项

  • 公开/公告号CN102110475B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-09-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市国微电子有限公司;

    申请/专利号CN201110031781.7

  • 申请日2011-01-27

  • 分类号

  • 代理机构深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙);

  • 代理人陈健

  • 地址 518057 广东省深圳市南山区高新南一道015号国微研发大楼六层A

  • 入库时间 2022-08-23 09:15:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-09-04

    授权

    授权

  • 2013-05-01

    著录事项变更 IPC(主分类):G11C 16/26 变更前: 变更后: 申请日:20110127

    著录事项变更

  • 2011-08-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/26 申请日:20110127

    实质审查的生效

  • 2011-06-29

    公开

    公开

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