一种TEM的半导体样品制备方法

摘要

本发明提供了一种透射电子显微镜的半导体样品制备方法，该方法包括：在晶片上形成包含目标结构的样品并用FIB将样品切至1微米左右厚度，在样品底部切出一条长度至少完全隔离目标结构和晶片的横向开口；然后在目标结构上方保留保护层FIB去除样品内位于目标结构上方的晶片上层的半导体器件；最后将样品的两面侧壁进行细抛，直到包含目标结构区域的样品厚度满足TEM样品的要求。本发明提出的TEM样品制备方法避免了由于目标结构与样品表面的距离引起的聚焦离子束能量损失和分布不均匀问题，从而造成的TEM样品厚度无法满足TEM要求及TEM样品的扭曲和破坏，并精确计算FIB轰击点，提高了位于wafer底层的半导体器件的TEM样品制备成功率。