一种精确控制半导体器件掺杂区掺杂浓度的方法

摘要

一种精确控制半导体器件掺杂区掺杂浓度的方法，通过对硅片进行氧化，涂覆过程中在硼乳胶源中加入光刻胶，在硼乳胶源和光刻胶混合后并将二者放入搅拌皿中进行充分的搅拌，从而得到乳胶源涂覆液，其中光刻胶在高温碳化从而随扩散过程中的携带气体去除，得到需要的硼区杂质浓度分布。本发明操作简便，设备简单，适于大批量生成，该方法扩散参数可以随意控制调整，掺杂浓度可调，通过在硅片上扩散氧化生成二氧化硅氧化层，控制氧化的厚度精度，达到精确控制扩散杂质的浓度，简化工艺流程，降低生产成本。产品的成品率可提高20%以上，特别适用于中低档半导体厂家批量生产，有显著的经济效益。