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提高低压降稳压电路稳定性的方法及实现该方法的低压降稳压器

摘要

本发明一种提高低压降稳压电路稳定性的方法及实现该方法的低压降稳压器,其实现是在低压降稳压电路中引入附加零极点,以提高低压降稳压器电路的稳定性,具体可以在PMOS驱动管的栅漏极之间接入由补偿电容和补偿电阻串联构成的反馈回路,设计补偿电容和补偿电阻的值,通过补偿电路产生的附加零点来低压降稳压器的第二主极点,同时使得加入的补偿电路带来的附加极点被低压降稳压电路的输出电容所产生的零点所补偿,则电路的相位裕度得到改善,低压降稳压器电路可以实现较好的稳定性,其输出端不会发生振荡。

著录项

  • 公开/公告号CN102176182B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-05-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东华芯半导体有限公司;

    申请/专利号CN201010612568.0

  • 发明设计人 高彬;马岩;陆崇鑫;李宏志;

    申请日2010-12-29

  • 分类号

  • 代理机构西安智邦专利商标代理有限公司;

  • 代理人徐平

  • 地址 250101 山东省济南市高新区新泺大街1768号齐鲁软件大厦B座二层

  • 入库时间 2022-08-23 09:14:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-02-22

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G05F 1/56 授权公告日:20130515 终止日期:20151229 申请日:20101229

    专利权的终止

  • 2013-05-15

    授权

    授权

  • 2011-11-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/56 申请日:20101229

    实质审查的生效

  • 2011-09-07

    公开

    公开

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