沟槽填充后平坦化的工艺方法

摘要

本发明公开了一种沟槽填充后平坦化的工艺方法，包括如下步骤：在衬底硅片上生长一层外延层；在所述外延层上进行硬掩膜生长；在所述外延层中形成沟槽；在所述沟槽中进行硅外延生长填充该沟槽；用化学机械研磨对所述沟槽表面进行初步平坦化；对所述沟槽表面的硅进行高温热氧化；用湿法刻蚀或干法刻蚀去除沟槽表面的氧化层和硬掩膜。本发明能够有效解决沟槽表面平坦化问题，获得平坦化很好的沟槽表面；适用于超级结MOSFET器件。