b=6.228c=5.929α=β=γ=90°。该非线性光学材料的制备可采用坩锅下降法,得到它们的化合物及其单晶。该材料可应用于制造二次谐波发生器,上、下频率转换器,光参量振荡器。"/> 硫化镓钡单晶体及其生长方法及其红外非线性光学器件(CN200810149020.X)-中国专利【掌桥科研】
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硫化镓钡单晶体及其生长方法及其红外非线性光学器件

摘要

本发明涉及硫化镓钡单晶体及其生长方法及其红外非线性光学器件。其分子式为BaGa4S7,属于正交晶系,空间群为Pmn21,晶胞参数为a=14.755b=6.228c=5.929α=β=γ=90°。该非线性光学材料的制备可采用坩锅下降法,得到它们的化合物及其单晶。该材料可应用于制造二次谐波发生器,上、下频率转换器,光参量振荡器。

著录项

  • 公开/公告号CN101545141B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-04-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院福建物质结构研究所;

    申请/专利号CN200810149020.X

  • 发明设计人 叶宁;林新松;张戈;

    申请日2008-09-16

  • 分类号C30B29/46(20060101);C30B11/00(20060101);G02F1/355(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 350002 福建省福州市杨桥西路155号

  • 入库时间 2022-08-23 09:14:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-04-17

    授权

    授权

  • 2011-10-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/46 申请日:20080916

    实质审查的生效

  • 2009-09-30

    公开

    公开

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